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PHC21025中文资料

PHC21025图片

PHC21025外观图

  • 大小:161.77KB
  • 厂家:PHILIPS [Philips Semiconductors]
  • 描述:Complementary enhancement mode MOS transistors
  • 典型栅极电荷@Vgs:10 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds:250 pF V @ 20
  • 安装类型:表面贴装
  • 宽度:4mm
  • 封装类型:SO
  • 尺寸:5 x 4 x 1.45mm
  • 引脚数目:8
  • 最低工作温度:-65 °C
  • 最大功率耗散:2000 mW
  • 最大栅源电压:20 V
  • 最大漏源电压:30 V
  • 最大漏源电阻值:0.1(N 通道)Ω,0.25(P 通道)Ω
  • 最大连续漏极电流:2.3(P 通道)A,3.5(N 通道)A
  • 最高工作温度:+150 °C
  • 每片芯片元件数目:2
  • 类别:功率 MOSFET
  • 通道模式:增强
  • 通道类型:N,P
  • 配置:双、双漏极
  • 长度:5mm
  • 高度:1.45mm

PHC21025供应商

更新时间:2023-02-08 12:48:33
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