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PHC21025中文资料

PHC21025图片

PHC21025外观图

  • 大小：161.77KB
  • 厂家：PHILIPS [Philips Semiconductors]
  • 描述：Complementary enhancement mode MOS transistors
  • 典型栅极电荷@Vgs：10 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds：250 pF V @ 20
  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：4mm
  • 封装类型：SO
  • 尺寸：5 x 4 x 1.45mm
  • 引脚数目：8
  • 最低工作温度：-65 °C
  • 最大功率耗散：2000 mW
  • 最大栅源电压：20 V
  • 最大漏源电压：30 V
  • 最大漏源电阻值：0.1（N 通道）Ω，0.25（P 通道）Ω
  • 最大连续漏极电流：2.3（P 通道）A，3.5（N 通道）A
  • 最高工作温度：+150 °C
  • 每片芯片元件数目：2
  • 类别：功率 MOSFET
  • 通道模式：增强
  • 通道类型：N，P
  • 配置：双、双漏极
  • 长度：5mm
  • 高度：1.45mm

PHC21025供应商

更新时间:2023-02-08 12:48:33
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